Imagerie NIR basée sur le silicium traité de phosphore (1495 - 1595 nm)

Les capteurs en silicium traités au phosphore sont conçus comme une alternative économique aux capteurs InGaAs (arséniure d'indium-gallium), offrant une couverture dans la gamme de 1495 à 1595 nm, centrée autour de 1550 nm. Cette technologie est de plus en plus utilisée dans les communications optiques et dans d'autres applications nécessitant une surveillance précise des signaux ou des matériaux dans cette gamme de longueurs d'onde spécifique. Il s'agit notamment du profilage, de l'analyse, de la localisation et de l'alignement des faisceaux ou des applications d'imagerie standard. Ces capteurs traités de phosphore offrent une gamme de longueurs d'onde plus étroite mais une excellente efficacité dans la région des 1550 nm, ce qui les rend plus adaptés aux télécommunications et aux tâches connexes qu'aux applications d'imagerie à large bande. Ces caméras nécessiteraient un objectif d'imagerie doté d'un traitement spécifique pour cette gamme de longueurs d'onde. Des filtres peuvent être ajoutés au système pour en augmenter les performances, tels qu'un filtre passe-bande pour 1550 nm, un filtre passe-haut pour le NIR, ou des sources d'éclairage de 1550 nm.