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Lame à Retard λ/2 en Quartz, 25,4 mm dia., 815 nm

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Ouverture Utile CA (mm):
>20.00
Longueur d'Onde de Conception DWL (nm):
815
Diamètre (mm):
25.40 +0.0/-0.2
Substrat: Many glass manufacturers offer the same material characteristics under different trade names. Learn More
Crystalline Quartz
Retard:
λ/2
Qualité de Surface:
20-10
Type:
Crystalline Waveplate
Tolérance de Retard:
λ/300 @ 20C
Épaisseur de Monture (mm):
6.00 ±0.2
Transmitted Wavefront Distortion (RMS):
λ/10 @632.8nm
Spécification du Traitement:
R<0.2% @ 815nm on each surface
Ordre de Retard:
Zero
Monture:
Anodized Aluminium
Type de Traitement:
Anti-Reflection

Conformité réglementaire

RoHS:
Certificate of Conformance:

Description commune pour les Produits de la même Famille

  • Idéales pour les applications de pièges à ions et d'atomes neutres
  • Gamme de longueurs d'onde spécifiques aux applications, de l'UV au NIR
  • Diamètres de 12,7 et 25,4 mm pour une intégration facile

Les Lames à Retard de Demi-Onde pour l’Informatique Quantique sont idéales pour la manipulation des états de polarisation dans l'informatique quantique par ions piégés, à optique linéaire et à atomes neutres, ainsi que pour les applications de cryptographie quantique. Ces lames à retard (lames d’ondes) sont disponibles dans une gamme de longueurs d'onde couramment utilisées et spécifiques aux applications dans le spectre UV à NIR, et offrent un retard de λ/2 et une précision de retard de λ/200. En fonction de la longueur d'onde, ces lames à retard présentent une construction de premier ordre ou d'ordre zéro pour une faible sensibilité à la température, et sont recouvertes d'un traitement AR pour une transmission maximale à la longueur d'onde de conception afin d'assurer des performances optimales avec des signaux à faible luminosité. Les Lames à Retard de Demi-Onde pour l’Informatique Quantique sont logées dans un support en aluminium anodisé noir et sont disponibles en taille 1'' et en taille plus compacte ½'' pour une intégration facile dans les systèmes sensibles à l'espace.

 
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