Photodiodes InGaAs

Les Photodiodes InGaAs présentent une excellente response de 900 nm à 1700 nm avec des zones actives allant de 0,07 mm à 3,0 mm. Les photodiodes dont la surface active est inférieure à 1 mm offrent une faible capacitance, un faible courant d'obscurité et une grande responsivité de 1100 nm à 1620 nm, pour les applications de télécommunication et de transmission de données à grande vitesse. Les photodiodes ayant une surface active de 1 mm et plus offrent de grandes surfaces actives, un faible bruit et une résistance shunt élevée, ce qui permet d'obtenir une grande sensibilité pour les signaux faibles. Les Photodiodes InGaAs sont isolées dans des boîtiers TO-46, TO-18 ou TO-5 avec une lentille bille ou une fenêtre double face à traitement AR, en fonction de l'emballage. Ces photodiodes sont idéales pour une multitude d'applications de recherche et OEM, y compris l'alignement laser IR, les diagnostics médicaux et l'analyse chimique.